用Anki学习电路元器件知识

高效记忆元器件参数、选型规则、失效模式的 Anki 使用框架。

配套的理论学习路径见电路分析进阶学习计划 —— 那边按五个阶段推进，Anki 负责复习侧。

卡组结构设计

按「属性维度」而非「器件类型」组织卡片，最终目的是快速检索能力：

正面：2N7002 的 Vgs(th) 典型值背面：1-2.5V

覆盖关键参数：Vgs(th)、Rds(on)、Ciss、BVdss、开关速度、耐压、额定电流、ESR 等。

正面：低压差场景下，LDO 和 DC-DC 的选型分界线？背面：压差 > 0.5V 且功率 > 1W → DC-DC；压差 < 0.3V 或噪声敏感 → LDO

覆盖：MLCC vs 电解电容选型、电感饱和电流余量、电阻功率选择、MOSFET 驱动能力匹配等。

正面：SOT-23 的焊盘间距典型值背面：1.9mm（中心距），焊盘宽 0.6mm × 长 0.8mm

覆盖：SOP-8、QFN、DFN、TO-252 等常用封装引脚排布、散热焊盘要求、PCB 布局禁忌。

正面：MLCC 发出啸叫的原因背面：压电效应 — 陶瓷介质在 AC 电压下机械振动，频率落在可听域

覆盖：电感饱和啸叫、MOSFET 米勒平台振荡、电容 ESR 老化、二极管反向恢复损耗等。

用子电路截图做 Image Occlusion 卡片：

正面：[原理图局部截图，遮挡关键元件] 背面：此处应为 RC Snubber — 抑制 D1 反向恢复引起的振铃

Q: 理想的运算放大器开环增益是多少？ A: 无穷大（实际 80-140dB）

正面（A→B）：XL6019 的开关频率背面（B→A）：180kHz → 适合降压还是升压应用？两组方向强化双向记忆。

阻容截止频率公式：fc = 1 / (2π × {{c1:R}} × {{c2:C}}) EIA 标准阻值序列 E24/E48/E96、常用电容耐压等级等。

在原理图上用方框遮挡关键部分，问「此处应该是什么元件？参数如何选？」

按器件类型划分子组，建议优先建立卡片：